最近有报道说，英伟达和AMD为了抢HBM（高带宽存储器）产能，直接跑到韩国SK海力士和美的生产线上去盯进度。这听起来有点夸张，但HBM确实是当前AI算力卡脖子的一环。HBM不是普通存，它是把多个DRAM芯片堆叠起来，通过通孔（TSV）技术互联，带宽比传统DDR存高出好几倍。训练大模型时，GPU要不停读写数据，HBM的带宽直接决定了训练速度。所以这轮AI热潮里，HBM成了最紧俏的零件之一。
目前球能大规模量产HBM的只有SK海力士、三星和美三家。SK海力士占了大约一半的市场份额，而且它的HBM3E已经批量供货给英伟达。三星也在拼命追赶，但良率问题一直没完解决。美则主要供应给AMD。
问题在于，HBM的生产工艺复杂，产能扩张很。一条HBM产线需要改造现有DRAM工厂，而DRAM本身已经供不应求。加上HBM的封环节也需要进封产能，这部分同样紧张。所以尽管各家都在扩产，但短期HBM的供应仍然偏紧。
这轮HBM短缺也带动了相设备和材料的需求。比如TSV刻蚀设备、临时键合机、以及用于堆叠的薄膜材料。国一些半导体设备司也在布局，但差距还很大。
我的理解是，HBM的竞争本质上是一场进制造能力的比拼。谁能更快提升良率、扩大产能，谁就能在AI芯片供应链里占据更有利的位置。而且这种高端存储器的需求不会只是短期热潮——只要AI还在发展，HBM就会持续吃香。